CE3512K2

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Parte del fabricante

CE3512K2

Fabricante
CEL (California Eastern Laboratories)
Descripción
RF FET 4V 12GHZ 4MICROX
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - rf
Serie
-
En stock
858
Hojas de datos en línea
CE3512K2 PDF
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Strip
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de transistor:pHEMT FET
  • frecuencia:12GHz
  • ganar:13.7dB
  • voltaje - prueba:2 V
  • clasificación actual (amperios):15mA
  • figura de ruido:0.5dB
  • corriente - prueba:10 mA
  • Salida de potencia:125mW
  • voltaje - nominal:4 V
  • paquete / caja:4-Micro-X
  • paquete de dispositivos del proveedor:4-Micro-X
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