A3T18H455W23SR6

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Parte del fabricante

A3T18H455W23SR6

Fabricante
NXP Semiconductors
Descripción
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - rf
Serie
-
En stock
0
Hojas de datos en línea
A3T18H455W23SR6 PDF
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Tape & Reel (TR)
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de transistor:LDMOS (Dual)
  • frecuencia:1.805GHz ~ 1.88GHz
  • ganar:16.7dB
  • voltaje - prueba:30 V
  • clasificación actual (amperios):10µA
  • figura de ruido:-
  • corriente - prueba:600 mA
  • Salida de potencia:192W
  • voltaje - nominal:65 V
  • paquete / caja:ACP-1230S-4L2S
  • paquete de dispositivos del proveedor:ACP-1230S-4L2S
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