MRF8P20165WHSR5

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Parte del fabricante

MRF8P20165WHSR5

Fabricante
Rochester Electronics
Descripción
FET RF 2CH 65V 2.01GHZ NI780S4
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - rf
Serie
-
En stock
39
Hojas de datos en línea
MRF8P20165WHSR5 PDF
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Bulk
  • estado de la pieza:Obsolete
  • tipo de transistor:LDMOS (Dual)
  • frecuencia:1.88GHz ~ 2.025GHz
  • ganar:14.8dB
  • voltaje - prueba:28 V
  • clasificación actual (amperios):10µA
  • figura de ruido:-
  • corriente - prueba:550 mA
  • Salida de potencia:37W
  • voltaje - nominal:65 V
  • paquete / caja:NI-780S-4
  • paquete de dispositivos del proveedor:NI-780S-4
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