2SK545-11D-TB-E

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Parte del fabricante

2SK545-11D-TB-E

Fabricante
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descripción
JFET N-CH 1MA 125MW CP
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - jfets
Serie
-
En stock
6537
Hojas de datos en línea
2SK545-11D-TB-E PDF
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:N-Channel
  • tensión - avería (v(br)gss):-
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):40 V
  • corriente - drenaje (idss) @ vds (vgs=0):60 µA @ 10 V
  • consumo de corriente (id) - máx.:1 mA
  • voltaje - corte (vgs off) @ id:1.5 V @ 1 µA
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:1.7pF @ 10V
  • resistencia - rds (encendido):-
  • potencia - máx.:125 mW
  • Temperatura de funcionamiento:-
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete / caja:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • paquete de dispositivos del proveedor:3-CP
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