J111-D26Z

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Parte del fabricante

J111-D26Z

Fabricante
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descripción
JFET N-CH 35V 625MW TO92
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - jfets
Serie
-
En stock
877142
Hojas de datos en línea
J111-D26Z PDF
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:N-Channel
  • tensión - avería (v(br)gss):35 V
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):-
  • corriente - drenaje (idss) @ vds (vgs=0):20 mA @ 15 V
  • consumo de corriente (id) - máx.:-
  • voltaje - corte (vgs off) @ id:3 V @ 1 µA
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:-
  • resistencia - rds (encendido):30 Ohms
  • potencia - máx.:625 mW
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Through Hole
  • paquete / caja:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • paquete de dispositivos del proveedor:TO-92-3
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