APTM100A13SG

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Parte del fabricante

APTM100A13SG

Fabricante
Roving Networks / Microchip Technology
Descripción
MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - arreglos
Serie
-
En stock
3000
Hojas de datos en línea
APTM100A13SG PDF
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Bulk
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:2 N-Channel (Half Bridge)
  • característica fet:Standard
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):1000V (1kV)
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:65A
  • rds en (máx.) @ id, vgs:156mOhm @ 32.5A, 10V
  • vgs(th) (máx) @ id:5V @ 6mA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:562nC @ 10V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:15200pF @ 25V
  • potencia - máx.:1250W
  • Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Chassis Mount
  • paquete / caja:SP6
  • paquete de dispositivos del proveedor:SP6
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