SI4909DY-T1-GE3

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Parte del fabricante

SI4909DY-T1-GE3

Fabricante
Vishay / Siliconix
Descripción
MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SO
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - arreglos
Serie
-
En stock
8190
Hojas de datos en línea
SI4909DY-T1-GE3 PDF
Consulta
  • serie:TrenchFET®
  • paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:2 P-Channel (Dual)
  • característica fet:Logic Level Gate
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):40V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:8A
  • rds en (máx.) @ id, vgs:27mOhm @ 8A, 10V
  • vgs(th) (máx) @ id:2.5V @ 250µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:63nC @ 10V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:2000pF @ 20V
  • potencia - máx.:3.2W
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete / caja:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • paquete de dispositivos del proveedor:8-SO
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