FD6M043N08

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Parte del fabricante

FD6M043N08

Fabricante
Rochester Electronics
Descripción
N-CHANNEL POWER MOSFET
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - arreglos
Serie
-
En stock
1404
Hojas de datos en línea
FD6M043N08 PDF
Consulta
  • serie:Power-SPM™
  • paquete:Tube
  • estado de la pieza:Obsolete
  • tipo de feto:2 N-Channel (Dual)
  • característica fet:Standard
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):75V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:65A
  • rds en (máx.) @ id, vgs:4.3mOhm @ 40A, 10V
  • vgs(th) (máx) @ id:4V @ 250µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:148nC @ 10V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:6180pF @ 25V
  • potencia - máx.:-
  • Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Through Hole
  • paquete / caja:EPM15
  • paquete de dispositivos del proveedor:EPM15
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