IPG20N04S4L07AATMA1

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Parte del fabricante

IPG20N04S4L07AATMA1

Fabricante
IR (Infineon Technologies)
Descripción
MOSFET 2N-CH 8TDSON
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - arreglos
Serie
-
En stock
4558
Hojas de datos en línea
IPG20N04S4L07AATMA1 PDF
Consulta
  • serie:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
  • paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:2 N-Channel (Dual)
  • característica fet:Logic Level Gate
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):40V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:20A
  • rds en (máx.) @ id, vgs:7.2mOhm @ 17A, 10V
  • vgs(th) (máx) @ id:2.2V @ 30µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:50nC @ 10V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:3980pF @ 25V
  • potencia - máx.:65W
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount, Wettable Flank
  • paquete / caja:8-PowerVDFN
  • paquete de dispositivos del proveedor:PG-TDSON-8-10
Envío Período de entrega Para las piezas en stock, se estima que los pedidos se enviarán en 3 días.
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Garantía Todas las compras vienen con una política de devolución de dinero de 30 días, más una garantía de 90 días contra cualquier defecto de fabricación.
Esta garantía no se aplicará a ningún artículo en el que los defectos hayan sido causados ​​por un ensamblaje inadecuado por parte del cliente, incumplimiento por parte del cliente de las instrucciones, modificación del producto, operación negligente o incorrecta.

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