SSM6N55NU,LF

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Parte del fabricante

SSM6N55NU,LF

Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descripción
MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - arreglos
Serie
-
En stock
0
Hojas de datos en línea
-
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:2 N-Channel (Dual)
  • característica fet:Logic Level Gate
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):30V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:4A
  • rds en (máx.) @ id, vgs:46mOhm @ 4A, 10V
  • vgs(th) (máx) @ id:2.5V @ 100µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:2.5nC @ 4.5V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:280pF @ 15V
  • potencia - máx.:1W
  • Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete / caja:6-WDFN Exposed Pad
  • paquete de dispositivos del proveedor:6-µDFN (2x2)
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Garantía Todas las compras vienen con una política de devolución de dinero de 30 días, más una garantía de 90 días contra cualquier defecto de fabricación.
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