NTJD4105CT2G

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Parte del fabricante

NTJD4105CT2G

Fabricante
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - arreglos
Serie
-
En stock
10646100
Hojas de datos en línea
NTJD4105CT2G PDF
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:N and P-Channel
  • característica fet:Logic Level Gate
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):20V, 8V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:630mA, 775mA
  • rds en (máx.) @ id, vgs:375mOhm @ 630mA, 4.5V
  • vgs(th) (máx) @ id:1.5V @ 250µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:3nC @ 4.5V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:46pF @ 20V
  • potencia - máx.:270mW
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete / caja:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • paquete de dispositivos del proveedor:SC-88/SC70-6/SOT-363
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