AUIRF7379QTR

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Parte del fabricante

AUIRF7379QTR

Fabricante
IR (Infineon Technologies)
Descripción
MOSFET N/P-CH 30V 5.8A/4.3A 8SO
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - arreglos
Serie
-
En stock
0
Hojas de datos en línea
AUIRF7379QTR PDF
Consulta
  • serie:HEXFET®
  • paquete:Tape & Reel (TR)
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:N and P-Channel
  • característica fet:Logic Level Gate
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):30V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:5.8A, 4.3A
  • rds en (máx.) @ id, vgs:45mOhm @ 5.8A, 10V
  • vgs(th) (máx) @ id:3V @ 250µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:25nC @ 10V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:520pF @ 25V
  • potencia - máx.:2.5W
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete / caja:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • paquete de dispositivos del proveedor:8-SO
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