NTMFD1D4N02P1E

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Parte del fabricante

NTMFD1D4N02P1E

Fabricante
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 20V 8PQFN
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - arreglos
Serie
-
En stock
0
Hojas de datos en línea
-
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Tape & Reel (TR)
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
  • característica fet:Standard
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):25V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:13A (Ta), 74A (Tc), 24A (Ta), 155A (Tc)
  • rds en (máx.) @ id, vgs:3.3mOhm @ 20A, 10V, 1.1mOhm @ 37A, 10V
  • vgs(th) (máx) @ id:2V @ 250µA, 2V @ 800µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:7.2nC @ 4.5V, 21.5nC @ 4.5V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:1180pF @ 13V, 3603pF @ 13V
  • potencia - máx.:960mW (Ta), 1W (Ta)
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete / caja:8-PowerWDFN
  • paquete de dispositivos del proveedor:8-PQFN (5x6)
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