APTM120H29FG

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Parte del fabricante

APTM120H29FG

Fabricante
Roving Networks / Microchip Technology
Descripción
MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - arreglos
Serie
-
En stock
0
Hojas de datos en línea
APTM120H29FG PDF
Consulta
  • serie:POWER MOS 7®
  • paquete:Bulk
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:4 N-Channel (H-Bridge)
  • característica fet:Standard
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):1200V (1.2kV)
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:34A
  • rds en (máx.) @ id, vgs:348mOhm @ 17A, 10V
  • vgs(th) (máx) @ id:5V @ 5mA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:374nC @ 10V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:10300pF @ 25V
  • potencia - máx.:780W
  • Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Chassis Mount
  • paquete / caja:SP6
  • paquete de dispositivos del proveedor:SP6
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