TSM200N03DPQ33 RGG

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Parte del fabricante

TSM200N03DPQ33 RGG

Fabricante
TSC (Taiwan Semiconductor)
Descripción
MOSFET 2 N-CH 30V 20A 8PDFN
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - arreglos
Serie
-
En stock
880
Hojas de datos en línea
TSM200N03DPQ33 RGG PDF
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:2 N-Channel (Dual)
  • característica fet:Standard
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):30V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:20A (Tc)
  • rds en (máx.) @ id, vgs:20mOhm @ 10A, 10V
  • vgs(th) (máx) @ id:2.5V @ 250µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:4nC @ 4.5V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:345pF @ 25V
  • potencia - máx.:20W
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete / caja:8-PowerWDFN
  • paquete de dispositivos del proveedor:8-PDFN (3x3)
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