SI7997DP-T1-GE3

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Parte del fabricante

SI7997DP-T1-GE3

Fabricante
Vishay / Siliconix
Descripción
MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - arreglos
Serie
-
En stock
40300
Hojas de datos en línea
SI7997DP-T1-GE3 PDF
Consulta
  • serie:TrenchFET®
  • paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:2 P-Channel (Dual)
  • característica fet:Standard
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):30V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:60A
  • rds en (máx.) @ id, vgs:5.5mOhm @ 20A, 10V
  • vgs(th) (máx) @ id:2.2V @ 250µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:160nC @ 10V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:6200pF @ 15V
  • potencia - máx.:46W
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete / caja:PowerPAK® SO-8 Dual
  • paquete de dispositivos del proveedor:PowerPAK® SO-8 Dual
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