ALD1110ESAL

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Parte del fabricante

ALD1110ESAL

Fabricante
Advanced Linear Devices, Inc.
Descripción
MOSFET 2N-CH 10V 8SOIC
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - arreglos
Serie
-
En stock
0
Hojas de datos en línea
ALD1110ESAL PDF
Consulta
  • serie:EPAD®
  • paquete:Tube
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:2 N-Channel (Dual) Matched Pair
  • característica fet:Standard
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):10V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:-
  • rds en (máx.) @ id, vgs:500Ohm @ 5V
  • vgs(th) (máx) @ id:1.01V @ 1µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:-
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:2.5pF @ 5V
  • potencia - máx.:600mW
  • Temperatura de funcionamiento:0°C ~ 70°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete / caja:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • paquete de dispositivos del proveedor:8-SOIC
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