EPC2107

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Parte del fabricante

EPC2107

Fabricante
EPC
Descripción
GANFET 3 N-CH 100V 9BGA
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - arreglos
Serie
-
En stock
1407
Hojas de datos en línea
EPC2107 PDF
Consulta
  • serie:eGaN®
  • paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
  • característica fet:GaNFET (Gallium Nitride)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):100V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:1.7A, 500mA
  • rds en (máx.) @ id, vgs:320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V
  • vgs(th) (máx) @ id:2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:16pF @ 50V, 7pF @ 50V
  • potencia - máx.:-
  • Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete / caja:9-VFBGA
  • paquete de dispositivos del proveedor:9-BGA (1.35x1.35)
Envío Período de entrega Para las piezas en stock, se estima que los pedidos se enviarán en 3 días.
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Garantía Todas las compras vienen con una política de devolución de dinero de 30 días, más una garantía de 90 días contra cualquier defecto de fabricación.
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