MSCSM120AM042CT6LIAG

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Parte del fabricante

MSCSM120AM042CT6LIAG

Fabricante
Roving Networks / Microchip Technology
Descripción
PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP6C LI
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - arreglos
Serie
-
En stock
6
Hojas de datos en línea
-
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Tube
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:2 N Channel (Phase Leg)
  • característica fet:Silicon Carbide (SiC)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):1200V (1.2kV)
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:495A (Tc)
  • rds en (máx.) @ id, vgs:5.2mOhm @ 240A, 20V
  • vgs(th) (máx) @ id:2.8V @ 6mA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:1392nC @ 20V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:18100pF @ 1kV
  • potencia - máx.:2.031kW (Tc)
  • Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Chassis Mount
  • paquete / caja:Module
  • paquete de dispositivos del proveedor:SP6C LI
Envío Período de entrega Para las piezas en stock, se estima que los pedidos se enviarán en 3 días.
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Garantía Todas las compras vienen con una política de devolución de dinero de 30 días, más una garantía de 90 días contra cualquier defecto de fabricación.
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