CSD87312Q3E

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Parte del fabricante

CSD87312Q3E

Fabricante
Texas
Descripción
MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - arreglos
Serie
-
En stock
15600
Hojas de datos en línea
-
Consulta
  • serie:NexFET™
  • paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:2 N-Channel (Dual) Common Source
  • característica fet:Logic Level Gate
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):30V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:27A
  • rds en (máx.) @ id, vgs:33mOhm @ 7A , 8V
  • vgs(th) (máx) @ id:1.3V @ 250µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:8.2nC @ 4.5V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:1250pF @ 15V
  • potencia - máx.:2.5W
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete / caja:8-PowerTDFN
  • paquete de dispositivos del proveedor:8-VSON (3.3x3.3)
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