EPC2110

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Parte del fabricante

EPC2110

Fabricante
EPC
Descripción
GANFET 2NCH 120V 3.4A DIE
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - arreglos
Serie
-
En stock
7501
Hojas de datos en línea
EPC2110 PDF
Consulta
  • serie:eGaN®
  • paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:2 N-Channel (Dual) Common Source
  • característica fet:GaNFET (Gallium Nitride)
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):120V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:3.4A
  • rds en (máx.) @ id, vgs:60mOhm @ 4A, 5V
  • vgs(th) (máx) @ id:2.5V @ 700µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:0.8nC @ 5V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:80pF @ 60V
  • potencia - máx.:-
  • Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:-
  • paquete / caja:Die
  • paquete de dispositivos del proveedor:Die
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