IPG20N06S4L14ATMA2

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Parte del fabricante

IPG20N06S4L14ATMA2

Fabricante
IR (Infineon Technologies)
Descripción
MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - arreglos
Serie
-
En stock
0
Hojas de datos en línea
IPG20N06S4L14ATMA2 PDF
Consulta
  • serie:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
  • paquete:Tape & Reel (TR)
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:2 N-Channel (Dual)
  • característica fet:Logic Level Gate
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):60V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:20A
  • rds en (máx.) @ id, vgs:13.7mOhm @ 17A, 10V
  • vgs(th) (máx) @ id:2.2V @ 20µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:39nC @ 10V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:2890pF @ 25V
  • potencia - máx.:50W
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete / caja:8-PowerVDFN
  • paquete de dispositivos del proveedor:PG-TDSON-8-4
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