SIB912DK-T1-GE3

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Parte del fabricante

SIB912DK-T1-GE3

Fabricante
Vishay / Siliconix
Descripción
MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - arreglos
Serie
-
En stock
3000000
Hojas de datos en línea
SIB912DK-T1-GE3 PDF
Consulta
  • serie:TrenchFET®
  • paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:2 N-Channel (Dual)
  • característica fet:Logic Level Gate
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):20V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:1.5A
  • rds en (máx.) @ id, vgs:216mOhm @ 1.8A, 4.5V
  • vgs(th) (máx) @ id:1V @ 250µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:3nC @ 8V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:95pF @ 10V
  • potencia - máx.:3.1W
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete / caja:PowerPAK® SC-75-6L Dual
  • paquete de dispositivos del proveedor:PowerPAK® SC-75-6L Dual
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