FDC6561AN

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Parte del fabricante

FDC6561AN

Fabricante
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descripción
MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - arreglos
Serie
-
En stock
16366
Hojas de datos en línea
FDC6561AN PDF
Consulta
  • serie:PowerTrench®
  • paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:2 N-Channel (Dual)
  • característica fet:Logic Level Gate
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):30V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:2.5A
  • rds en (máx.) @ id, vgs:95mOhm @ 2.5A, 10V
  • vgs(th) (máx) @ id:3V @ 250µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:3.2nC @ 5V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:220pF @ 15V
  • potencia - máx.:700mW
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete / caja:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • paquete de dispositivos del proveedor:SuperSOT™-6
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