FDS8958B

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Parte del fabricante

FDS8958B

Fabricante
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N/P-CH 30V 6.4/4.5A 8SOIC
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - arreglos
Serie
-
En stock
270000
Hojas de datos en línea
FDS8958B PDF
Consulta
  • serie:PowerTrench®
  • paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:N and P-Channel
  • característica fet:Logic Level Gate
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):30V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:6.4A, 4.5A
  • rds en (máx.) @ id, vgs:26mOhm @ 6.4A, 10V
  • vgs(th) (máx) @ id:3V @ 250µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:12nC @ 10V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:540pF @ 15V
  • potencia - máx.:900mW
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete / caja:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • paquete de dispositivos del proveedor:8-SOIC
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