IRF7311PBF

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Parte del fabricante

IRF7311PBF

Fabricante
Rochester Electronics
Descripción
HEXFET POWER MOSFET
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - fets, mosfets - arreglos
Serie
-
En stock
2565
Hojas de datos en línea
IRF7311PBF PDF
Consulta
  • serie:HEXFET®
  • paquete:Bulk
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de feto:2 N-Channel (Dual)
  • característica fet:Logic Level Gate
  • voltaje de drenaje a fuente (vdss):20V
  • corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:6.6A
  • rds en (máx.) @ id, vgs:29mOhm @ 6A, 4.5V
  • vgs(th) (máx) @ id:700mV @ 250µA
  • carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:27nC @ 4.5V
  • capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:900pF @ 15V
  • potencia - máx.:2W
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete / caja:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • paquete de dispositivos del proveedor:8-SO
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Garantía Todas las compras vienen con una política de devolución de dinero de 30 días, más una garantía de 90 días contra cualquier defecto de fabricación.
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