RN1112MFV,L3F

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Parte del fabricante

RN1112MFV,L3F

Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descripción
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - bipolares (bjt) - simples, prepolarizados
Serie
-
En stock
8000
Hojas de datos en línea
-
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de transistor:NPN - Pre-Biased
  • corriente - colector (ic) (max):100 mA
  • voltaje - ruptura del emisor del colector (max):50 V
  • resistencia - base (r1):22 kOhms
  • resistencia - base del emisor (r2):-
  • ganancia de corriente CC (hfe) (min) @ ic, vce:120 @ 1mA, 5V
  • saturación vce (máx.) @ ib, ic:300mV @ 500µA, 5mA
  • corriente - corte del colector (máx.):100nA (ICBO)
  • frecuencia - transición:-
  • potencia - máx.:150 mW
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete / caja:SOT-723
  • paquete de dispositivos del proveedor:VESM
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