DTA123EET1G

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Parte del fabricante

DTA123EET1G

Fabricante
Rochester Electronics
Descripción
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - bipolares (bjt) - simples, prepolarizados
Serie
-
En stock
249000
Hojas de datos en línea
DTA123EET1G PDF
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Bulk
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de transistor:PNP - Pre-Biased
  • corriente - colector (ic) (max):100 mA
  • voltaje - ruptura del emisor del colector (max):50 V
  • resistencia - base (r1):2.2 kOhms
  • resistencia - base del emisor (r2):2.2 kOhms
  • ganancia de corriente CC (hfe) (min) @ ic, vce:8 @ 5mA, 10V
  • saturación vce (máx.) @ ib, ic:250mV @ 5mA, 10mA
  • corriente - corte del colector (máx.):500nA
  • frecuencia - transición:-
  • potencia - máx.:200 mW
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete / caja:SC-75, SOT-416
  • paquete de dispositivos del proveedor:SC-75, SOT-416
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