DTC115EUAT106

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Parte del fabricante

DTC115EUAT106

Fabricante
ROHM Semiconductor
Descripción
TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - bipolares (bjt) - simples, prepolarizados
Serie
-
En stock
200000
Hojas de datos en línea
DTC115EUAT106 PDF
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado de la pieza:Not For New Designs
  • tipo de transistor:NPN - Pre-Biased
  • corriente - colector (ic) (max):20 mA
  • voltaje - ruptura del emisor del colector (max):50 V
  • resistencia - base (r1):100 kOhms
  • resistencia - base del emisor (r2):100 kOhms
  • ganancia de corriente CC (hfe) (min) @ ic, vce:82 @ 5mA, 5V
  • saturación vce (máx.) @ ib, ic:300mV @ 250µA, 5mA
  • corriente - corte del colector (máx.):500nA
  • frecuencia - transición:250 MHz
  • potencia - máx.:200 mW
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete / caja:SC-70, SOT-323
  • paquete de dispositivos del proveedor:UMT3
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