EMG11T2R

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Parte del fabricante

EMG11T2R

Fabricante
ROHM Semiconductor
Descripción
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - bipolar (bjt) - arreglos, prepolarizados
Serie
-
En stock
11082
Hojas de datos en línea
EMG11T2R PDF
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de transistor:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • corriente - colector (ic) (max):100mA
  • voltaje - ruptura del emisor del colector (max):50V
  • resistencia - base (r1):2.2kOhms
  • resistencia - base del emisor (r2):47kOhms
  • ganancia de corriente CC (hfe) (min) @ ic, vce:80 @ 10mA, 5V
  • saturación vce (máx.) @ ib, ic:300mV @ 250µA, 5mA
  • corriente - corte del colector (máx.):500nA
  • frecuencia - transición:250MHz
  • potencia - máx.:150mW
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete / caja:6-SMD (5 Leads), Flat Lead
  • paquete de dispositivos del proveedor:EMT5
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