Name: RN2713JE(TE85L,F)
Brand: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
SKU: RN2713JE(TE85L,F)
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte del fabricante: RN2713JE(TE85L,F)

Fabricante: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Descripción: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Categoría: productos semiconductores discretos

Familia: transistores - bipolar (bjt) - arreglos, prepolarizados

Serie: -

En stock: 4000

Hojas de datos en línea: RN2713JE(TE85L,F) PDF

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serie:-
paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:Active
tipo de transistor:2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
corriente - colector (ic) (max):100mA
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):50V
resistencia - base (r1):47kOhms
resistencia - base del emisor (r2):-

ganancia de corriente CC (hfe) (min) @ ic, vce:120 @ 1mA, 5V
saturación vce (máx.) @ ib, ic:300mV @ 250µA, 5mA
corriente - corte del colector (máx.):100nA (ICBO)
frecuencia - transición:200MHz
potencia - máx.:100mW
Tipo de montaje:Surface Mount
paquete / caja:SOT-553
paquete de dispositivos del proveedor:ESV

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Número de parte	Descripción	Valores	Precio unitario
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NSVBC124XDXV6T1G Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor	TRANS BRT 2NPN BIPO SOT563	En stock: 104.000	$0.11544
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