EMD59T2R

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Parte del fabricante

EMD59T2R

Fabricante
ROHM Semiconductor
Descripción
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - bipolar (bjt) - arreglos, prepolarizados
Serie
-
En stock
6165
Hojas de datos en línea
EMD59T2R PDF
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de transistor:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • corriente - colector (ic) (max):100mA
  • voltaje - ruptura del emisor del colector (max):50V
  • resistencia - base (r1):10kOhms
  • resistencia - base del emisor (r2):47kOhms
  • ganancia de corriente CC (hfe) (min) @ ic, vce:80 @ 5mA, 10V
  • saturación vce (máx.) @ ib, ic:150mV @ 500µA, 5mA
  • corriente - corte del colector (máx.):500nA
  • frecuencia - transición:250MHz
  • potencia - máx.:150mW
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete / caja:SOT-563, SOT-666
  • paquete de dispositivos del proveedor:EMT6
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