FF200R12KT4HOSA1

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Parte del fabricante

FF200R12KT4HOSA1

Fabricante
IR (Infineon Technologies)
Descripción
IGBT MOD 1200V 320A 1100W
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - igbts - módulos
Serie
-
En stock
51
Hojas de datos en línea
FF200R12KT4HOSA1 PDF
Consulta
  • serie:C
  • paquete:Bulk
  • estado de la pieza:Active
  • tipo igbt:Trench Field Stop
  • configuración:Half Bridge
  • voltaje - ruptura del emisor del colector (max):1200 V
  • corriente - colector (ic) (max):320 A
  • potencia - máx.:1100 W
  • vce (encendido) (máx.) @ vge, ic:2.15V @ 15V, 200A
  • corriente - corte del colector (máx.):5 mA
  • capacitancia de entrada (cies) @ vce:14 nF @ 25 V
  • aporte:Standard
  • termistor ntc:No
  • Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Chassis Mount
  • paquete / caja:Module
  • paquete de dispositivos del proveedor:Module
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