FS50R07N2E4B11BOSA1

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Parte del fabricante

FS50R07N2E4B11BOSA1

Fabricante
Rochester Electronics
Descripción
IGBT MODULE
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - igbts - módulos
Serie
-
En stock
61
Hojas de datos en línea
FS50R07N2E4B11BOSA1 PDF
Consulta
  • serie:EconoPACK™ 2
  • paquete:Tray
  • estado de la pieza:Obsolete
  • tipo igbt:Trench Field Stop
  • configuración:Three Phase Inverter
  • voltaje - ruptura del emisor del colector (max):650 V
  • corriente - colector (ic) (max):70 A
  • potencia - máx.:190 W
  • vce (encendido) (máx.) @ vge, ic:1.95V @ 15V, 50A
  • corriente - corte del colector (máx.):1 mA
  • capacitancia de entrada (cies) @ vce:3.1 nF @ 25 V
  • aporte:Standard
  • termistor ntc:Yes
  • Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C
  • Tipo de montaje:Chassis Mount
  • paquete / caja:Module
  • paquete de dispositivos del proveedor:Module
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