NXH35C120L2C2ESG

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Parte del fabricante

NXH35C120L2C2ESG

Fabricante
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descripción
IGBT MODULE, CIB 1200 V, 35 A IG
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - igbts - módulos
Serie
-
En stock
0
Hojas de datos en línea
-
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Tube
  • estado de la pieza:Active
  • tipo igbt:-
  • configuración:Three Phase Inverter with Brake
  • voltaje - ruptura del emisor del colector (max):1200 V
  • corriente - colector (ic) (max):35 A
  • potencia - máx.:20 mW
  • vce (encendido) (máx.) @ vge, ic:2.4V @ 15V, 35A
  • corriente - corte del colector (máx.):250 µA
  • capacitancia de entrada (cies) @ vce:8.333 nF @ 20 V
  • aporte:Three Phase Bridge Rectifier
  • termistor ntc:Yes
  • Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Through Hole
  • paquete / caja:26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
  • paquete de dispositivos del proveedor:26-DIP
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