Name: NXH35C120L2C2S1G
Brand: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
SKU: NXH35C120L2C2S1G
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Parte del fabricante: NXH35C120L2C2S1G

Fabricante: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

Descripción: IGBT MOD 1200V 35A 26DIP

Categoría: productos semiconductores discretos

Familia: transistores - igbts - módulos

Serie: -

En stock: 0

Hojas de datos en línea: -

NXH35C120L2C2S1G darse cuenta

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serie:-
paquete:Tube
estado de la pieza:Active
tipo igbt:-
configuración:Three Phase Inverter with Brake
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):1200 V
corriente - colector (ic) (max):35 A
potencia - máx.:20 mW
vce (encendido) (máx.) @ vge, ic:2.4V @ 15V, 35A

corriente - corte del colector (máx.):250 µA
capacitancia de entrada (cies) @ vce:8.33 nF @ 20 V
aporte:Three Phase Bridge Rectifier
termistor ntc:Yes
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
paquete / caja:26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
paquete de dispositivos del proveedor:26-DIP

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