A1P50S65M2-F

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Parte del fabricante

A1P50S65M2-F

Fabricante
STMicroelectronics
Descripción
IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK1
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - igbts - módulos
Serie
-
En stock
0
Hojas de datos en línea
-
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Tray
  • estado de la pieza:Active
  • tipo igbt:Trench Field Stop
  • configuración:Three Phase Inverter
  • voltaje - ruptura del emisor del colector (max):650 V
  • corriente - colector (ic) (max):50 A
  • potencia - máx.:208 W
  • vce (encendido) (máx.) @ vge, ic:2.3V @ 15V, 50A
  • corriente - corte del colector (máx.):100 µA
  • capacitancia de entrada (cies) @ vce:4.15 nF @ 25 V
  • aporte:Standard
  • termistor ntc:Yes
  • Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Chassis Mount
  • paquete / caja:Module
  • paquete de dispositivos del proveedor:ACEPACK™ 1
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