FP7G75US60

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Parte del fabricante

FP7G75US60

Fabricante
Rochester Electronics
Descripción
IGBT
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - igbts - módulos
Serie
-
En stock
200
Hojas de datos en línea
FP7G75US60 PDF
Consulta
  • serie:Power-SPM™
  • paquete:Tube
  • estado de la pieza:Obsolete
  • tipo igbt:-
  • configuración:Half Bridge
  • voltaje - ruptura del emisor del colector (max):600 V
  • corriente - colector (ic) (max):75 A
  • potencia - máx.:310 W
  • vce (encendido) (máx.) @ vge, ic:2.8V @ 15V, 75A
  • corriente - corte del colector (máx.):250 µA
  • capacitancia de entrada (cies) @ vce:4.515 nF @ 30 V
  • aporte:Standard
  • termistor ntc:No
  • Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 125°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Chassis Mount
  • paquete / caja:EPM7
  • paquete de dispositivos del proveedor:EPM7
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