GSID100A120T2C1A

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Parte del fabricante

GSID100A120T2C1A

Fabricante
SemiQ
Descripción
IGBT MOD 1200V 200A 800W
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - igbts - módulos
Serie
-
En stock
0
Hojas de datos en línea
GSID100A120T2C1A PDF
Consulta
  • serie:Amp+™
  • paquete:Bulk
  • estado de la pieza:Active
  • tipo igbt:-
  • configuración:Three Phase Inverter
  • voltaje - ruptura del emisor del colector (max):1200 V
  • corriente - colector (ic) (max):200 A
  • potencia - máx.:800 W
  • vce (encendido) (máx.) @ vge, ic:2.1V @ 15V, 100A
  • corriente - corte del colector (máx.):1 mA
  • capacitancia de entrada (cies) @ vce:13.7 nF @ 25 V
  • aporte:Three Phase Bridge Rectifier
  • termistor ntc:Yes
  • Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C
  • Tipo de montaje:Chassis Mount
  • paquete / caja:Module
  • paquete de dispositivos del proveedor:Module
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