VS-GT80DA120U

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Parte del fabricante

VS-GT80DA120U

Fabricante
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Descripción
IGBT MOD 1200V 139A 658W SOT227
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - igbts - módulos
Serie
-
En stock
98
Hojas de datos en línea
VS-GT80DA120U PDF
Consulta
  • serie:HEXFRED®
  • paquete:Bulk
  • estado de la pieza:Active
  • tipo igbt:Trench
  • configuración:Single
  • voltaje - ruptura del emisor del colector (max):1200 V
  • corriente - colector (ic) (max):139 A
  • potencia - máx.:658 W
  • vce (encendido) (máx.) @ vge, ic:2.55V @ 15V, 80A
  • corriente - corte del colector (máx.):100 µA
  • capacitancia de entrada (cies) @ vce:4.4 nF @ 25 V
  • aporte:Standard
  • termistor ntc:No
  • Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Chassis Mount
  • paquete / caja:SOT-227-4, miniBLOC
  • paquete de dispositivos del proveedor:SOT-227
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