NXH100B120H3Q0STG

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Parte del fabricante

NXH100B120H3Q0STG

Fabricante
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descripción
IGBT MODULE 1200V 50A 186W PIM22
Categoría
productos semiconductores discretos
Familia
transistores - igbts - módulos
Serie
-
En stock
24
Hojas de datos en línea
-
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Tray
  • estado de la pieza:Active
  • tipo igbt:Trench Field Stop
  • configuración:2 Independent
  • voltaje - ruptura del emisor del colector (max):1200 V
  • corriente - colector (ic) (max):50 A
  • potencia - máx.:186 W
  • vce (encendido) (máx.) @ vge, ic:2.3V @ 15V, 50A
  • corriente - corte del colector (máx.):200 µA
  • capacitancia de entrada (cies) @ vce:9.075 nF @ 20 V
  • aporte:Standard
  • termistor ntc:No
  • Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje:Chassis Mount
  • paquete / caja:Module
  • paquete de dispositivos del proveedor:22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)
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