DS1258W-100#

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Parte del fabricante

DS1258W-100#

Fabricante
Rochester Electronics
Descripción
IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 40EDIP
Categoría
circuitos integrados
Familia
memoria
Serie
-
En stock
335
Hojas de datos en línea
-
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Box
  • estado de la pieza:Obsolete
  • tipo de memoria:Non-Volatile
  • formato de memoria:NVSRAM
  • tecnología:NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • tamaño de la memoria:2Mb (128K x 16)
  • interfaz de memoria:Parallel
  • frecuencia de reloj:-
  • tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:100ns
  • tiempo de acceso:100 ns
  • suministro de voltaje:3V ~ 3.6V
  • Temperatura de funcionamiento:0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo de montaje:Through Hole
  • paquete / caja:40-DIP Module (0.610", 15.495mm)
  • paquete de dispositivos del proveedor:40-EDIP
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