DS1230Y-200IND

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Parte del fabricante

DS1230Y-200IND

Fabricante
Rochester Electronics
Descripción
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Categoría
circuitos integrados
Familia
memoria
Serie
-
En stock
382
Hojas de datos en línea
DS1230Y-200IND PDF
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Tube
  • estado de la pieza:Obsolete
  • tipo de memoria:Non-Volatile
  • formato de memoria:NVSRAM
  • tecnología:NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • tamaño de la memoria:256Kb (32K x 8)
  • interfaz de memoria:Parallel
  • frecuencia de reloj:-
  • tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:200ns
  • tiempo de acceso:200 ns
  • suministro de voltaje:4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo de montaje:Through Hole
  • paquete / caja:28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • paquete de dispositivos del proveedor:28-EDIP
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