CY14B101NA-ZS45XI

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Parte del fabricante

CY14B101NA-ZS45XI

Fabricante
Rochester Electronics
Descripción
NON-VOLATILE SRAM, 64KX16, 45NS
Categoría
circuitos integrados
Familia
memoria
Serie
-
En stock
225
Hojas de datos en línea
CY14B101NA-ZS45XI PDF
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Bulk
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de memoria:Non-Volatile
  • formato de memoria:NVSRAM
  • tecnología:NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • tamaño de la memoria:1Mb (64K x 16)
  • interfaz de memoria:Parallel
  • frecuencia de reloj:-
  • tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:45ns
  • tiempo de acceso:45 ns
  • suministro de voltaje:2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete / caja:44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • paquete de dispositivos del proveedor:44-TSOP II
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