71256S100TDB

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Parte del fabricante

71256S100TDB

Fabricante
Renesas Electronics America
Descripción
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP
Categoría
circuitos integrados
Familia
memoria
Serie
-
En stock
0
Hojas de datos en línea
71256S100TDB PDF
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Tube
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de memoria:Volatile
  • formato de memoria:SRAM
  • tecnología:SRAM - Asynchronous
  • tamaño de la memoria:256Kb (32K x 8)
  • interfaz de memoria:Parallel
  • frecuencia de reloj:-
  • tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:100ns
  • tiempo de acceso:100 ns
  • suministro de voltaje:4.5V ~ 5.5V
  • Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 125°C (TA)
  • Tipo de montaje:Through Hole
  • paquete / caja:28-CDIP (0.300", 7.62mm)
  • paquete de dispositivos del proveedor:28-CDIP
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