CY14B512Q2A-SXI

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Parte del fabricante

CY14B512Q2A-SXI

Fabricante
Rochester Electronics
Descripción
NON-VOLATILE SRAM, 64KX8, CMOS,
Categoría
circuitos integrados
Familia
memoria
Serie
-
En stock
260
Hojas de datos en línea
CY14B512Q2A-SXI PDF
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Bulk
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de memoria:Non-Volatile
  • formato de memoria:NVSRAM
  • tecnología:NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • tamaño de la memoria:512Kb (64K x 8)
  • interfaz de memoria:SPI
  • frecuencia de reloj:40 MHz
  • tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:-
  • tiempo de acceso:-
  • suministro de voltaje:2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete / caja:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • paquete de dispositivos del proveedor:8-SOIC
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