CY14B104M-ZSP25XI

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Parte del fabricante

CY14B104M-ZSP25XI

Fabricante
Rochester Electronics
Descripción
IC NVSRAM 4MBIT PAR 54TSOP II
Categoría
circuitos integrados
Familia
memoria
Serie
-
En stock
19
Hojas de datos en línea
CY14B104M-ZSP25XI PDF
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Bulk
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de memoria:Non-Volatile
  • formato de memoria:NVSRAM
  • tecnología:NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • tamaño de la memoria:4Mb (256K x 16)
  • interfaz de memoria:Parallel
  • frecuencia de reloj:-
  • tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:25ns
  • tiempo de acceso:25 ns
  • suministro de voltaje:2.7V ~ 3.6V
  • Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete / caja:54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • paquete de dispositivos del proveedor:54-TSOP II
Envío Período de entrega Para las piezas en stock, se estima que los pedidos se enviarán en 3 días.
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Garantía Todas las compras vienen con una política de devolución de dinero de 30 días, más una garantía de 90 días contra cualquier defecto de fabricación.
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