TC58BYG1S3HBAI6

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Parte del fabricante

TC58BYG1S3HBAI6

Fabricante
Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Descripción
IC FLASH 2GBIT PARALLEL 67VFBGA
Categoría
circuitos integrados
Familia
memoria
Serie
-
En stock
338
Hojas de datos en línea
TC58BYG1S3HBAI6 PDF
Consulta
  • serie:Benand™
  • paquete:Tray
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de memoria:Non-Volatile
  • formato de memoria:FLASH
  • tecnología:FLASH - NAND (SLC)
  • tamaño de la memoria:2Gb (256M x 8)
  • interfaz de memoria:Parallel
  • frecuencia de reloj:-
  • tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:25ns
  • tiempo de acceso:25 ns
  • suministro de voltaje:1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete / caja:67-VFBGA
  • paquete de dispositivos del proveedor:67-VFBGA (6.5x8)
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