CY7C1418KV18-250BZC

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Parte del fabricante

CY7C1418KV18-250BZC

Fabricante
Rochester Electronics
Descripción
DDR SRAM, 2MX18, 0.45NS, CMOS, P
Categoría
circuitos integrados
Familia
memoria
Serie
-
En stock
601
Hojas de datos en línea
CY7C1418KV18-250BZC PDF
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Bulk
  • estado de la pieza:Active
  • tipo de memoria:Volatile
  • formato de memoria:SRAM
  • tecnología:SRAM - Synchronous, DDR II
  • tamaño de la memoria:36Mb (2M x 18)
  • interfaz de memoria:Parallel
  • frecuencia de reloj:250 MHz
  • tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:-
  • tiempo de acceso:-
  • suministro de voltaje:1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura de funcionamiento:0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete / caja:165-LBGA
  • paquete de dispositivos del proveedor:165-FBGA (13x15)
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