CYD18S18V18-200BBAXI

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Parte del fabricante

CYD18S18V18-200BBAXI

Fabricante
Rochester Electronics
Descripción
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 256FBGA
Categoría
circuitos integrados
Familia
memoria
Serie
-
En stock
3
Hojas de datos en línea
CYD18S18V18-200BBAXI PDF
Consulta
  • serie:-
  • paquete:Tray
  • estado de la pieza:Obsolete
  • tipo de memoria:Volatile
  • formato de memoria:SRAM
  • tecnología:SRAM - Dual Port, Synchronous
  • tamaño de la memoria:18Mb (1M x 18)
  • interfaz de memoria:Parallel
  • frecuencia de reloj:200 MHz
  • tiempo de ciclo de escritura - palabra, página:-
  • tiempo de acceso:3.3 ns
  • suministro de voltaje:1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • paquete / caja:256-LBGA
  • paquete de dispositivos del proveedor:256-FBGA (17x17)
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